中国芯片生产技术终于突破欧美封锁
近来有网络媒体称,“中微半导体自主研发的5纳米等离子体刻蚀机,功能优秀,将用于全球首条5纳米芯片制程生产线”,并评论说“我国芯片生产技能总算打破欧美封闭,第一次占据国际制高点”“我国弯道超车”等等。
中微公司的刻蚀机确实水平一流,但夸张论述其战略意义,则被相关专家对立。刻蚀仅仅芯片制作多个环节之一。刻蚀机也不是对华禁售的设备,在这个意义上不算“卡脖子”。
首要,外行简单混杂“光刻机”和“刻蚀机”。光刻机相当于画匠,刻蚀机是雕工。前者投影在硅片上一张精密的电路图(就像照相机让胶卷感光),后者按这张图去刻线(就像刻印章相同,腐蚀和去除不需求的部分)。
光刻机是芯片制作中用到的最金贵的机器,要到达5纳米曝光精度难比登天,ASML公司一家通吃高端光刻机;而刻蚀机没那么难,中微的竞争对手还有使用资料、泛林、东京电子等等,国外巨子体量优势显着。
“中微的等离子刻蚀机这几年前进确实不小,”科技日报记者采访的一位从事离子刻蚀的专家说,“但现在的刻蚀机精度已远超光刻机的曝光精度;芯片制程上,刻蚀精度已不再是最大的难题,更难的是确保在大面积晶圆上的刻蚀一致性。”
该专家解说说,难在怎么让电场能量和刻蚀气体都均匀地散布在被刻蚀基体外表上,以确保等离子中的有用基元,在晶片外表的每一个方位完成相同的刻蚀作用,为此需求归纳资料学、流体力学、电磁学和真空等离子体学的常识。
该专家说“刻蚀机更合理的结构规划和资料挑选,可确保电场的均匀散布。刻蚀气体的馈入方法也是要害之一。据我所知,中微尹志尧博士的团队在气体喷淋盘上下过不少的功夫。别的包含功率电源、真空体系、刻蚀温度操控等,都影响刻蚀成果。”
别的,该专家也指出,刻蚀机技能类型许多,中微和他们的技能原理就有很大差异,至于更具体的技能细节,是每个厂家的中心秘要。
趁便一提刻蚀分湿法(古代人就懂得用强酸去刻蚀金属,现代工艺用氟化氢刻蚀二氧化硅)和干法(如用真空中的氩等离子体去加工硅片)。“湿法呈现较早,一般用在低端产品上。干法一般是能量束刻蚀,离子束、电子束、激光束等等,精度高,无污染残留,芯片制作用的就是等离子刻蚀。”该专家称。
上述专家称誉说,尹博士以及中微的中心技能团队,根本都是从国际闻名半导体设备大厂出来的,尹博士本来就在国外获得了许多的技能成果。中微不断提高改善,逐渐在芯片刻蚀机范畴坚持了与国外简直同步的技能水平。
在IC业界作业多年的电子工程师张光华通知科技日报记者“一两年前网上就有中微研发5纳米刻蚀机的报道。如果能在台积电使用,确实阐明中微到达国际领先水平。但说我国芯片‘弯道超车’就是夸张其词了。”
“硅片从规划到制作到封测,流程杂乱。刻蚀是制作环节的工序之一,还有造晶棒、切开晶圆、涂膜、光刻、掺杂、测验等等,都需求杂乱的技能。我国在大部分工序上落后。”张光华说,“并且,中微仅仅给台积电这样的制作企业供给设备,产量比台积电差几个数量级。”
科技日报记者发现,2017年开端网络上常常热炒“5纳米刻蚀机”,而中微公司再三反对媒体给他们“戴高帽”。
“不要老把工业的开展提高到政治高度,更不要让一些新闻人和媒体搞招引眼球的不实报道。”尹志尧2018年表明,“对我和中微的夸张宣扬搞得咱们很被迫……过一些时分,又面目一新登出来,真实让咱们头痛。”